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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？MBRD835L-T-F正是为您的高效设计目标而来。这颗35V/8A的肖特基整流二极管，以其仅510mV@8A的超低正向压降，能显著减少整流过程中的能量损耗，直接转化为更低的系统发热和更高的整体能效，让您的产品在能耗表现上领先一步。

它采用紧凑的DPAK表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产。其快速的恢复特性，能轻松应对高频开关电源的应用需求，有效提升电源工作频率，让您在设计更小、更轻的电源模块时游刃有余。无论是提升现有方案的效率，还是开发新一代高性能电源，MBRD835L-T-F都能为您提供坚实可靠的性能基础。

• 型号:MBRD835L-T-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:35 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.4 mA @ 35 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
• MBRD835L-T-F，Diodes产品一站式供应商。