还在为复杂的晶体管偏置电路头疼吗?让MIMD10A-7-F来改变这一切!这颗创新的预偏置双晶体管阵列,将NPN和PNP管以及精密电阻集成于微型SOT-363封装内,为您省去外部偏置元件的所有麻烦。
它能让您轻松实现高效的电平转换、信号驱动和开关控制。凭借高达50V的耐压、出色的电流增益和低饱和压降,它能确保您的电路运行更稳定、能效更高。无论是放大微弱信号还是驱动负载,它都能提供一致可靠的性能。
选择MIMD10A-7-F,就是选择简化设计、节省空间并加速产品上市。让它成为您下一个紧凑型、高性能设计的核心助力吧!
- 型号:MIMD10A-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器 - 基极 (R1):100 欧姆,10 千欧
- 电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
- 频率 - 跃迁:250MHz,200MHz
- 功率 - 最大值:200mW
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- MIMD10A-7-F,Diodes产品一站式供应商。