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还在为电路中的开关效率烦恼吗？MMBF170Q-7-F正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和500mA的连续电流能力，能轻松胜任各种中低压场景下的负载切换与功率控制任务，让您的设计动力十足又安全可靠。

它采用微小的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，特别适合便携式和高度集成的设备。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了高效能转换与出色的环境适应性，无论是应对瞬间脉冲还是持续工作，都能让您的系统运行更稳定、更节能。

• 型号:MMBF170Q-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• MMBF170Q-7-F，Diodes产品一站式供应商。