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MMBTH10-7-F 零件图片(仅供参考)

MMBTH10-7-F
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MMBTH10-7-F 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高频性能与稳定性的射频晶体管吗?MMBTH10-7-F正是为您的高要求应用量身打造。它集成了高达650MHz的工作频率和25V的耐压能力,让您在设计无线收发模块、射频放大电路时,能够轻松获得清晰、强劲的信号放大效果,有效提升系统整体性能。

这颗NPN型晶体管能为您做什么?它能在高达50mA的集电极电流下稳定工作,并以最小60倍的直流电流增益,高效地将微小输入信号放大。其紧凑的SOT-23-3封装和表面贴装特性,让您的PCB布局更加灵活,生产组装更为高效。无论是应对消费电子还是工业环境,它宽广的工作温度范围都能确保设备长期可靠运行,是您打造高品质射频产品的得力助手。

  • 型号:MMBTH10-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):25V
  • 频率 - 跃迁:650MHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • MMBTH10-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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MMBTH10-7-F 基本参数:

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