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MMBTH10-7 零件图片(仅供参考)

MMBTH10-7
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MMBTH10-7 规格参数

还在为高频电路中的信号放大需求寻找一颗得力的“心脏”吗?MMBTH10-7正是您期待的答案。这颗NPN射频晶体管,专为高达650MHz的高频应用而优化,能为您的高频放大、振荡或混频电路提供稳定、高效的性能支持。

它集成了25V的集射极击穿电压,让您的设计拥有更宽的安全工作区。采用紧凑的SOT23-3封装,能极大节省您的电路板空间,让布局更灵活,生产更高效。选择它,就是选择了一个久经考验的成熟方案,让您能更专注于系统级创新,轻松应对射频设计的挑战。

  • 制造商产品型号:MMBTH10-7
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):-
  • 频率-跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率-最大值:-
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 封装:-
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MMBTH10-7 基本参数:

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