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还在为电路中的电压基准不够精准而烦恼吗？MMBZ5225B-7齐纳二极管专为解决此类问题而生。它能为您提供稳定可靠的3V电压基准，容差控制在±5%以内，让您的模拟电路或数字逻辑电平拥有坚实的参考锚点，轻松提升系统整体精度和一致性。

这颗芯片能高效地将过压能量安全泄放，保护后端精密器件免受浪涌冲击。其表面贴装设计和微型SOT-23-3封装，让您在高密度电路板布局中游刃有余，大幅节省宝贵的空间。无论是用于电压钳位、稳压还是瞬态抑制，MMBZ5225B-7都以出色的性能和可靠性，成为您构建稳健电子系统的得力助手。

• 型号:MMBZ5225B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):30 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5225B-7，Diodes产品一站式供应商。