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还在寻找一颗能精准锚定3.3V电压、为电路提供坚实保护的微型卫士吗？MMBZ5226B-7齐纳二极管正是为此而生。它能在您的电路中建立一个稳定的电压基准，有效箝位过压，保护后级精密元器件免受损坏，让您的设计轻松应对各种电压波动挑战。

这颗芯片能为您做什么？它以其350mW的功率处理能力和±5%的高精度，确保电压基准稳定可靠；其仅28欧姆的动态阻抗和低至25A的反向泄漏电流，意味着更高效的能量利用和更低的静态功耗。无论是用于稳压、电压参考还是瞬态抑制，MMBZ5226B-7都能以SOT-23-3的极小身形，融入您的便携设备、电源模块或传感器接口中，大幅提升系统的整体稳健性与可靠性。

• 型号:MMBZ5226B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3.3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):28 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5226B-7，Diodes产品一站式供应商。