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还在为电路中的电压波动而担忧吗？MMBZ5230B-7齐纳二极管正是您理想的解决方案。它能为您精准地箝位在4.7V，容差仅±5%，如同一道坚固的堤坝，有效吸收和抑制意外的电压浪涌，确保您电路核心部分的电压环境始终安全、纯净。

这颗芯片能让您的设计更加稳健可靠。其低至5A的反向泄漏电流有助于降低系统整体功耗，而高达350mW的功率处理能力则赋予了它应对突发状况的韧性。采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，让您可以轻松实现高密度的PCB布局，大幅节省宝贵的板级空间。无论是用于电压基准、稳压还是过压保护，它都能高效完成任务，是您提升产品可靠性的得力助手。

• 型号:MMBZ5230B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):19 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5230B-7，Diodes产品一站式供应商。