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还在为电路中的电压尖峰提心吊胆吗？让MMBZ5235B-7-F为您带来从容与安心！这颗来自Diodes Incorporated的6.8V齐纳二极管，专为精密电压钳位和保护而设计。它能高效地将过压能量导向地线，确保您后端的敏感芯片始终工作在安全的6.8V±5%电压环境下，彻底杜绝因电压不稳导致的系统故障或损坏。

凭借仅5欧姆的动态阻抗和低至3A的反向泄漏电流，它响应迅速且功耗极低，让您的产品在获得强悍保护的同时，依然保持出色的能效表现。其小巧的SOT-23-3封装和宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C），让您可以轻松将它集成到从消费电子到汽车系统的各种紧凑、严苛的应用中，大幅提升产品的可靠性与市场竞争力。

• 型号:MMBZ5235B-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 6.8V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):6.8 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):5 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 5 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5235B-7-F，Diodes产品一站式供应商。