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您正在寻找一款能精准稳压、有效防护瞬态电压冲击的解决方案吗？MMBZ5241B-7齐纳二极管正是为您而来。它能将电压稳定钳位在11V，容差仅±5%，为您电路中的敏感IC提供一道可靠的保护墙，轻松应对电压浪涌和ESD事件。

这颗芯片采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，让您能在有限的空间内高效布局。其卓越的22欧姆最大动态阻抗和低至2A的反向泄漏电流，意味着它在稳压时自身功耗极低，有助于提升您整个系统的能效。无论是用于电源轨的基准电压生成，还是信号线的瞬态抑制，MMBZ5241B-7都能以稳定的表现，守护您设计的完整性。

• 型号:MMBZ5241B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 11V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):11 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):22 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 8.4 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5241B-7，Diodes产品一站式供应商。