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还在为电路中的电压尖峰烦恼吗？MMBZ5248B-7齐纳二极管正是为您解决这一核心痛点的专家。它能精准地将电压箝位在18V（±5%容差），有效吸收高达350mW的浪涌功率，像一道坚固的堤坝，保护您后级的精密IC免受损坏。

这颗芯片能让您的设计轻松应对严苛环境。其工作温度横跨-65°C至150°C，确保在极端条件下依然稳定可靠。超低的21欧姆动态阻抗和100nA@14V的反向泄漏电流，意味着它响应迅速且自身功耗极低，让您的系统能效更高。采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，它便于您进行高密度布局和自动化生产，大幅提升制造效率。

• 型号:MMBZ5248B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 18V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):18 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):21 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5248B-7，Diodes产品一站式供应商。