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还在寻找一颗能精准稳压、可靠保护的齐纳二极管吗？MMBZ5250B-7正是为您而来的解决方案。这颗芯片能为您提供精确的20V电压基准（容差仅±5%），并以其高达350mW的功率处理能力，轻松吸收电路中的过压浪涌，确保后端敏感元件的绝对安全。

它不仅仅是一个保护元件，更能让您的信号更纯净、系统更稳定。其极低的反向泄漏电流（仅100nA @15V）和25欧姆的最大动态阻抗，意味着它能高效工作，几乎不引入额外损耗。超小的SOT-23-3封装让您能轻松实现高密度电路板设计，而-65°C至150°C的宽温工作范围，则让您的产品无惧任何环境挑战，可靠性大幅提升。

• 型号:MMBZ5250B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 20V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):20 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):25 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5250B-7，Diodes产品一站式供应商。