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MMBZ5251BT-7-G 零件图片(仅供参考)

MMBZ5251BT-7-G
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MMBZ5251BT-7-G 规格参数

您是否正在寻找一款能在极限空间内为电路提供坚实电压保护的解决方案?MMBZ5251BT-7-G正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管,专为空间受限的现代电子产品设计,它能高效地将电路中的电压箝位在安全水平,轻松抵御瞬态电压尖峰和ESD事件的冲击。

将它应用于您的电源线路、数据端口或敏感信号路径,它能瞬间动作,吸收多余能量,确保核心芯片免受损坏。其紧凑的封装让您可以在不牺牲布局灵活性的前提下,为整个系统增添一层可靠的保护屏障,显著提升产品的耐用性和可靠性。

  • 型号:MMBZ5251BT-7-G
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER SOT523
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗(最大值)(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • MMBZ5251BT-7-G,Diodes产品一站式供应商。
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MMBZ5251BT-7-G 基本参数:

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