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还在寻找一颗能精准稳压、可靠防护的微型解决方案吗？MMBZ5254BT-7-F正是为您而来。这颗来自Diodes的齐纳二极管，核心使命是在您的电路中建立一个坚固的27V电压“堤坝”（容差仅±5%），无论是用作电压基准，还是吸收瞬间过压能量（最大功率150mW），它都能迅速响应，确保后级敏感器件安然无恙。

它让您轻松实现高效电路保护。其极低的反向泄漏电流（100nA @ 21V）和正向压降（900mV @ 10mA），意味着它对电路正常工作的影响微乎其微。超小的SOT-523封装和表面贴装设计，更能让您在紧凑的PCB空间内游刃有余。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围，则保证了您的产品在各种极端环境下依然稳定如初。

• 型号:MMBZ5254BT-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 27V 150MW SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):27 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:150 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):41 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-523
• 供应商器件封装:SOT-523
• MMBZ5254BT-7-F，Diodes产品一站式供应商。