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MMBZ5257B-7 零件图片(仅供参考)

MMBZ5257B-7
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MMBZ5257B-7 规格参数

还在为电路中的电压尖峰而烦恼吗?MMBZ5257B-7齐纳二极管正是您理想的解决方案。它能精准地将电压稳定在33V,有效吸收和钳制意外过压,像一位忠诚的卫士,保护您昂贵的核心集成电路免受损害。

这颗芯片能让您的设计更稳健、更可靠。其高达350mW的功耗能力和仅58欧姆的低动态阻抗,意味着它响应快速、效能出色。采用微小的SOT-23-3封装,它能轻松融入空间紧凑的便携设备、电源适配器或通信模块中,帮助您高效地提升产品的整体稳定性和市场竞争力。

  • 型号:MMBZ5257B-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • MMBZ5257B-7,Diodes产品一站式供应商。
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MMBZ5257B-7 基本参数:

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