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MMBZ5258B-7-G 零件图片(仅供参考)

MMBZ5258B-7-G
Diodes 订单到达,马上发货

MMBZ5258B-7-G 规格参数

您是否在寻找一款能瞬间稳住阵脚、保护核心电路的解决方案?MMBZ5258B-7-G正是您理想的答案。这颗由Diodes Incorporated出品的齐纳二极管,专为精密电压钳位和瞬态抑制而设计,它能迅速响应过压冲击,将危险电压牢牢限制在安全阈值,从而让您的主芯片和敏感电路高枕无忧。

凭借其单齐纳二极管架构,它能为您提供简洁高效的防护。其超小型SOT523封装让您轻松应对高密度电路板布局,在不牺牲性能的前提下最大化节省空间。选择它,就是为您的电子产品注入一剂稳定可靠的“强心针”,显著提升系统鲁棒性和长期可靠性。

  • 型号:MMBZ5258B-7-G
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER SOT523
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 阻抗(最大值)(Zzt):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • MMBZ5258B-7-G,Diodes产品一站式供应商。
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MMBZ5258B-7-G 基本参数:

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