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您正在寻找一颗能精准稳压、可靠保护的39V齐纳二极管吗？MMBZ5259B-7正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的经典芯片，能为您提供高达350mW的功率处理能力，以±5%的精度将电压稳稳控制在39V，有效吸收浪涌，保护后端精密电路免受损坏。

它让您的设计事半功倍。其极低的反向泄漏电流（仅100nA @ 30V）和正向压降（900mV @ 10mA），意味着更低的功耗和更高的效率。采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，它能轻松集成到空间受限的PCB布局中，同时凭借-65°C至150°C的宽温工作范围，确保您的设备在严苛环境下依然稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份简单而高效的安全保障。

• 型号:MMBZ5259B-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 39V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):39 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):80 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 30 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5259B-7，Diodes产品一站式供应商。