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PI3DDR4212NMEX 零件图片(仅供参考)

PI3DDR4212NMEX
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PI3DDR4212NMEX 规格参数

还在为DDR3与DDR4内存系统的信号路由难题寻找最优解?PI3DDR4212NMEX正是您期待的答案。这颗高性能模拟开关专为DDR内存接口设计,它能为您在两种内存标准之间搭建一座高速、低损耗的桥梁,轻松实现2:1的信号多路复用与解复用。

凭借高达6GHz的带宽和仅7欧姆的导通电阻,它能确保您的高速数据信号在切换时保持惊人的完整性,几乎感觉不到延迟或衰减。宽达1.8V至3.3V的单电源电压支持,让您的电源设计更加灵活高效。无论是升级现有平台还是规划未来产品,选择它,就是选择了一条通往更高性能、更可靠设计的捷径。

  • 制造商产品型号:PI3DDR4212NMEX
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:IC SWITCH DDR3/DDR4 48TFBGA
  • 产品系列:接口 - 模拟开关 - 特殊用途
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 应用:DDR3/DDR4
  • 多路复用器/解复用器电路:2:1
  • 开关电路:-
  • 通道数:1
  • 导通电阻(最大值):7 欧姆(标准)
  • 电压-电源,单(V+):1.8V ~ 3.3V
  • 电压-供电,双(V±):-
  • -3db带宽:6GHz
  • 特性:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-TFBGA
  • PI3DDR4212NMEX,Diodes产品一站式供应商。
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PI3DDR4212NMEX 基本参数:

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