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还在寻找那颗能同时兼顾高效率、高可靠性和快速开关的整流二极管吗？SBR10M100P5Q-13正是为您而来的解决方案。它采用先进的超级势垒整流技术，在10A电流下正向压降仅为880mV，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效；同时，其快如闪电的18ns反向恢复时间，能大幅削减开关损耗，让您的高频电源设计运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的应用而生。它具备100V的反向耐压和10A的整流能力，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保在车载充电器、电机驱动、工业电源等关键场景中稳定可靠。紧凑的PowerDI 5表面贴装封装，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是让您的产品在性能与可靠性上赢得双重优势。

• 型号:SBR10M100P5Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 100V 10A POWERDI5
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):18 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:245pF @ 4V
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
• SBR10M100P5Q-13，Diodes产品一站式供应商。