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还在寻找一颗能在高压下依然保持低损耗、高效率的整流芯片吗？SBR1U200P1Q-7正是您期待的答案。它采用先进的超级势垒整流技术，在高达200V的反向电压下，仅需820mV的正向压降就能通过1A电流，这意味着它能大幅降低您电源模块的导通损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的应用而生。其快如闪电的25ns反向恢复时间，能显著减少开关电源中的开关损耗，特别适合高频PFC、DC-DC转换等场景。同时，它符合汽车级AEC-Q101标准，并采用散热优异的PowerDI123封装，让您轻松应对汽车电子、工业电源等高可靠性设计挑战，全面提升产品竞争力。

• 型号:SBR1U200P1Q-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 200V 1A POWERDI 123
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):25 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• SBR1U200P1Q-7，Diodes产品一站式供应商。