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SBR20E100CT 零件图片(仅供参考)

SBR20E100CT
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SBR20E100CT 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高效率、低发热和高可靠性的整流芯片吗?SBR20E100CT正是您期待的答案。它采用Diodes领先的SBR超级势垒技术,在100V耐压和20A电流的强大规格下,实现了仅790mV@10A的超低正向压降,能显著降低导通损耗,让您的电源系统运行更凉爽、效率更高,直接节省能源成本并延长设备寿命。

这颗芯片专为 demanding 应用而生。其标准恢复速度与优异的反向特性,确保在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中稳定发挥。TO-220AB封装提供卓越的功率处理能力和散热性能,宽达-65°C至175°C的工作结温范围,让您轻松应对严苛的工业环境挑战,为您的设计注入强劲且可靠的动力核心。

  • 型号:SBR20E100CT
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 10A TO220-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 10 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 100 V
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • SBR20E100CT,Diodes产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Diodes供应商

SBR20E100CT 基本参数:

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