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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的整流芯片吗？SBR30A100CTE-G超级势垒整流器正是您的理想之选。它采用先进的1对共阴极阵列设计，能轻松处理高达15A的平均整流电流，并在100V的反向电压下保持稳定，其核心魅力在于仅800mV的超低正向压降，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为应对严苛环境而打造，支持-65°C至175°C的宽广结温范围，并采用便于自动化生产的TO-262AA表面贴装封装。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的高可靠性设备，选择SBR30A100CTE-G，就是选择了一个经过验证的、能助您轻松实现设计目标的强大伙伴。

• 型号:SBR30A100CTE-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO-262
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 15 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262
• SBR30A100CTE-G，Diodes产品一站式供应商。