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SBR30A100CTE 零件图片(仅供参考)

SBR30A100CTE
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SBR30A100CTE 规格参数

还在寻找能兼顾高效率与高可靠性的整流方案吗?SBR30A100CTE超级势垒整流器阵列,正是为应对此类挑战而生。它采用先进的超级势垒二极管技术,在100V/15A的严苛条件下,仅产生800mV的超低正向压降,让您轻松实现更低的导通损耗和更高的系统效率。

这颗芯片能为您做什么?它集成了1对共阴极的快速恢复二极管,恢复时间快至500ns,能显著降低高频应用中的开关损耗。其卓越的性能让您的电源设计,无论是面对服务器、工业驱动还是汽车电子领域,都能保持冷静高效的运行状态。同时,高达175°C的结温能力和TO-262的坚固封装,确保了其在恶劣环境下的长期可靠性,是您打造高性能、高耐用性产品的理想选择。

  • 制造商产品型号:SBR30A100CTE
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO262
  • 系列:二极管 - 整流器 - 阵列
  • 产品系列:*
  • 零件状态:有源
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 二极管类型:超级势垒
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):100V
  • 电流-平均整流(Io)(每二极管):15A
  • 不同If时电压-正向(Vf):800mV @ 15A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:100A @ 100V
  • 工作温度-结:-65°C ~ 175°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-262-3,长引线,IPak,TO-262AA
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SBR30A100CTE 基本参数:

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