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还在寻找一颗能在高压下依然保持冷静与高效的整流芯片吗？SBR30A120CTE正是为您而来的答案。它采用先进的超级势垒整流技术，在高达120V的反向电压下，仅需830mV的超低正向压降就能驱动15A的电流，让您的电源模块或电机驱动系统效率大幅提升，发热显著降低。

这颗芯片集成了两个共阴极的二极管，为您提供紧凑的阵列解决方案，轻松简化电路设计，节省布局空间。其宽广的-65°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战，从容应对各种严苛应用。

• 制造商产品型号：SBR30A120CTE
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：DIODE ARRAY SBR 120V TO262
• 系列：二极管 - 整流器 - 阵列
• 产品系列：SBR
• 零件状态：有源
• 二极管配置：1 对共阴极
• 二极管类型：超级势垒
• 电压-DC反向(Vr)（最大值）：120V
• 电流-平均整流(Io)（每二极管）：15A
• 不同If时电压-正向(Vf)：830mV @ 15A
• 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间(trr)：-
• 不同Vr时电流-反向泄漏：100A @ 120V
• 工作温度-结：-65°C ~ 175°C
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA
• SBR30A120CTE，Diodes产品一站式供应商。