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还在为传统肖特基二极管在高压下的高损耗和温升烦恼吗？SBR30M100CT超级势垒整流器阵列，正是为您突破能效瓶颈而生的利器。它采用创新的SBR技术，在高达100V的反向电压和15A的整流电流下，仅产生850mV的超低正向压降，让您轻松实现更高效的电源转换，显著降低系统热耗，提升整体可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它集成了共阴极的双二极管，以快速恢复特性（≤500ns）确保您在高频开关电源、电机驱动等应用中游刃有余，减少开关噪声和损耗。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-65°C至175°C），让您的设计从容应对工业与汽车领域的严酷环境挑战，是实现高性能、高可靠性电源方案的理想选择。

• 型号:SBR30M100CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220-3
• SBR30M100CT，Diodes产品一站式供应商。