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还在寻找那颗能同时兼顾高效率、低发热和小体积的整流芯片吗？SBR3U30P1-7就是为您而来的答案。它集成了Diodes先进的超级势垒整流技术，在30V/3A的规格下，实现了仅430mV的超低正向压降，能显著降低导通损耗，让您的电源模块运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松胜任高频开关环境，其快速恢复特性确保系统响应敏捷，减少能量浪费。采用紧凑的PowerDI123封装，为您节省宝贵的电路板空间，简化散热设计。无论是开发下一代快充设备、计算电源还是汽车电子应用，选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的‘心脏’。

• 型号:SBR3U30P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 A @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• SBR3U30P1-7，Diodes产品一站式供应商。