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VN10LP 零件图片(仅供参考)

VN10LP
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VN10LP 规格参数

还在为小功率开关电路的效率与成本权衡而头疼吗?让VN10LP来为您分忧!这颗N沟道MOSFET是专为高效、低压控制场景而生的能手。它仅需2.5V的阈值电压即可开启,让您能直接用单片机GPIO口轻松驱动,省去额外电路;同时,高达60V的耐压和270mA的连续电流能力,足以稳健地处理各种小功率电机、LED或继电器的开关任务。

它采用经典的TO-92-3通孔封装,坚固耐用,焊接方便。无论是用于电池供电设备的电源路径管理,还是智能传感器中的信号切换,VN10LP都能以出色的性能(低至5欧姆的导通电阻)和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),确保您的系统运行既高效又可靠。选择它,就是为您的设计注入一份简单而强大的控制力。

  • 型号:VN10LP
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-92
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-92
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • VN10LP,Diodes产品一站式供应商。
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VN10LP 基本参数:

  • 电子零件型号:VN10LP
  • 原始制造厂商:Diodes
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询VN10LP的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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