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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持电路板简洁高效的“核心开关”吗？ZVN0545GTC正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达450V的击穿电压和140mA的连续电流能力，让您能在开关电源、离线转换器等高压侧应用中，实现高效、可靠的电能控制与切换。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，不仅节省空间，其2W的功率耗散能力更能确保稳定运行。10V的标准驱动电压让接口设计变得异常简单，而极低的输入电容（仅70pF）则显著提升了开关速度，减少了损耗。选择它，就是为您的产品选择了一份在-55°C至150°C宽温范围内都能从容应对的耐久与高效。

• 型号:ZVN0545GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN0545GTC，Diodes产品一站式供应商。