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您正在为低功率开关电路寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？ZVN2106GTC正是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和710mA的连续电流能力，能轻松胜任各种负载切换和电源管理任务。其关键优势在于，在10V驱动电压下，导通电阻低至2欧姆，这意味着更低的功率损耗和更高的能源转换效率，直接帮助您的设备运行得更凉爽、更持久。

无论是用于便携式电子设备的电源路径管理，还是作为小型电机驱动、LED调光的控制开关，ZVN2106GTC都能让您的设计游刃有余。它采用节省空间的SOT-223表面贴装封装，非常适合现代紧凑型电子产品。选择它，就是选择了一个经过验证的、能简化您设计流程并提升终端产品可靠性的高性能器件。

• 型号:ZVN2106GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):710mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN2106GTC，Diodes产品一站式供应商。