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您正在设计需要精密控制的小功率电路吗？ZVN2110ASTZ正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任100V电压等级下的开关任务，提供高达320mA的驱动能力，让您高效管理各类负载。

它凭借仅需10V电压即可实现低至4欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，提升整体能效。同时，其快速的开关特性和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定、可靠地运行。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的核心动力。

• 型号:ZVN2110ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVN2110ASTZ，Diodes产品一站式供应商。