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还在为电路中的开关控制寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？ZVN2110GTA N沟道MOSFET正是为您而来。它能轻松处理高达100V的电压和500mA的连续电流，凭借仅需10V驱动电压和低至4欧姆的导通电阻，让您的电源开关、电机驱动或负载管理电路实现更低的损耗和更高的能效。

这颗采用紧凑SOT-223封装的芯片，让您能在节省空间的同时，获得强大的2W功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围。无论是提升现有设计的性能，还是加速新产品的开发，ZVN2110GTA都能以出色的稳定性和性价比，成为您项目中值得信赖的关键元件。

• 型号:ZVN2110GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN2110GTA，Diodes产品一站式供应商。