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还在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、精准控制500mA电流的微型开关吗？ZVN2110GTC正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个高效的能量指挥官，仅需10V的驱动信号，就能以低至4欧姆的导通电阻，让电流顺畅通过，极大降低您的系统功耗与发热。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的开关功能。无论是用于电源管理、负载开关还是信号切换，ZVN2110GTC都能让您的设计更简洁、运行更高效、性能更稳定。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠核心。

• 型号:ZVN2110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN2110GTC，Diodes产品一站式供应商。