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还在为小空间内的高压开关控制寻找一颗“得力干将”吗？ZVN2120ASTOA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达200V的耐压和180mA的电流处理能力，专为要求苛刻的高压小信号切换场景设计。它能让您在设计离线电源、LED驱动或工控模块时，轻松应对电压挑战，确保系统核心开关环节的稳定与高效。

采用经典的TO-92兼容封装，安装简便可靠。其10V的标准驱动电压让控制变得轻松，而优异的导通特性有助于减少功率损耗。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）意味着它能适应各种苛刻环境，是提升产品耐用性和可靠性的理想选择。选择它，就是为您的设计注入一份经久考验的稳健力量。

• 制造商产品型号：ZVN2120ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVN2120ASTOA，Diodes产品一站式供应商。