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ZVN2120ASTZ 零件图片(仅供参考)

ZVN2120ASTZ
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ZVN2120ASTZ 规格参数

您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压开关任务,同时体积小巧、易于驱动的MOSFET吗?ZVN2120ASTZ正是为您而来!这颗N沟道MOSFET就像一个高效、可靠的微型开关,让您仅用10V电压就能精准控制高达180mA的电流通断,其极低的输入电容确保了快速的开关响应,助您构建高效节能的电路系统。

它采用经典的E-Line(TO-92兼容)通孔封装,安装简便,非常适合空间受限或需要高可靠性的应用。无论是用于电源管理中的辅助开关、信号隔离,还是各种需要高压小电流控制的场合,ZVN2120ASTZ都能以稳定的性能和出色的性价比,成为您设计中的得力助手,让复杂的高压控制变得简单而高效。

  • 型号:ZVN2120ASTZ
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 250mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • ZVN2120ASTZ,Diodes产品一站式供应商。
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ZVN2120ASTZ 基本参数:

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