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还在为高压小电流电路的开关选择犯难吗？让ZVN2120GTA为您轻松化解挑战！这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压和320mA的连续漏极电流，是您实现高效、精准电源管理与信号切换的理想核心。其10V驱动电压下仅10欧姆的低导通电阻，能显著降低功耗，提升系统整体能效。

采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，它不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热设计更能确保在各类应用中稳定运行。无论是开关电源、LED驱动还是工业控制接口，ZVN2120GTA都能以可靠的性能，让您的设计更高效、更精简、更具竞争力。

• 型号:ZVN2120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN2120GTA，Diodes产品一站式供应商。