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还在寻找一颗能轻松驾驭高压小电流场景的“开关能手”吗？ZVN3310FTA正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和100mA的连续电流处理能力，让您在设计电源管理、信号切换或接口保护电路时信心十足。

它的魅力在于极高的易用性与效率。仅需10V驱动电压即可实现优异的导通性能，低至2.4V的栅极阈值电压让您能轻松兼容各类低压控制信号。同时，其微小的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，而330mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则确保了在各种应用环境中都能稳定可靠地工作，助您打造更紧凑、更高效、更稳健的电子产品。

• 型号:ZVN3310FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVN3310FTA，Diodes产品一站式供应商。