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ZVN3320ASTOB 零件图片(仅供参考)

ZVN3320ASTOB
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ZVN3320ASTOB 规格参数

您正在设计需要高压、小信号切换的电路吗?ZVN3320ASTOB正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压耐受能力,能轻松应对各种离线式电源适配器、工业控制板或消费电子中的高压侧开关任务,让您的设计在电压安全方面高枕无忧。

它能在仅10V的驱动电压下高效导通,提供最高100mA的连续电流,同时保持极低的输入电容,这意味着更快的开关响应和更低的功率损耗。采用经典的TO-92兼容封装,让您能在紧凑的空间内实现可靠的性能集成,无论是原型制作还是量产,都能轻松驾驭,显著提升您的开发效率与产品可靠性。

  • 型号:ZVN3320ASTOB
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):45 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • ZVN3320ASTOB,Diodes产品一站式供应商。
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ZVN3320ASTOB 基本参数:

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