您正在设计需要高压、小信号切换的电路吗?ZVN3320ASTOB正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压耐受能力,能轻松应对各种离线式电源适配器、工业控制板或消费电子中的高压侧开关任务,让您的设计在电压安全方面高枕无忧。
它能在仅10V的驱动电压下高效导通,提供最高100mA的连续电流,同时保持极低的输入电容,这意味着更快的开关响应和更低的功率损耗。采用经典的TO-92兼容封装,让您能在紧凑的空间内实现可靠的性能集成,无论是原型制作还是量产,都能轻松驾驭,显著提升您的开发效率与产品可靠性。
- 型号:ZVN3320ASTOB
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 欧姆 @ 100mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):45 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 封装/外壳:E-Line-3
- ZVN3320ASTOB,Diodes产品一站式供应商。