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还在寻找一颗能轻松驾驭高压小信号切换任务的“得力干将”吗？ZVN3320FTA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力，让您在设计高压接口、信号隔离或保护电路时信心十足。

它采用微型的SOT-23-3封装，能帮您极大节省宝贵的电路板空间，实现更紧凑、更优雅的产品设计。同时，其优异的电气特性，如低至3V的栅极阈值电压和快速的开关性能，让您的系统控制更加精准高效，功耗进一步降低。

简而言之，ZVN3320FTA就是您实现高可靠性、高集成度高压信号管理的理想选择，助您轻松攻克设计难题，加速产品上市。

• 型号:ZVN3320FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVN3320FTA，Diodes产品一站式供应商。