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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压，同时精准控制微小电流的开关器件吗？ZVN3320FTC正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能让您高效地完成高压小信号切换、接口保护或电平转换等任务，其仅60mA的连续漏极电流和低至3V的驱动门槛，让您的低压控制电路也能轻松指挥高压侧，简化整个系统设计。

得益于其SOT-23-3的超小型封装和表面贴装技术，您可以极大地节省宝贵的电路板空间，实现更紧凑、更优雅的产品布局。高达330mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。选择ZVN3320FTC，就是选择了一份经过验证的稳健与高效。

• 型号:ZVN3320FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVN3320FTC，Diodes产品一站式供应商。