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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压、在紧凑空间内高效完成开关任务的核心器件吗？ZVN4106FTA正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，能在仅200mA的连续电流下，凭借低至2.5欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的电路运行更加节能、发热更少。

它专为空间受限的设计优化，采用微小的SOT-23-3表面贴装封装，却拥有从-55°C到150°C的宽工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定工作。无论是用于电源路径管理、信号切换还是作为驱动器的组成部分，ZVN4106FTA都能以卓越的可靠性，让您的产品设计更精简、性能更出众。

• 型号:ZVN4106FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVN4106FTA，Diodes产品一站式供应商。