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还在为寻找一颗既能承受60V高压，又能在微小空间内高效工作的开关管而发愁吗？ZVN4206GVTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高效、紧凑的开关应用而生，仅需5V驱动电压即可实现低至1欧姆的导通电阻，让您的电路损耗更低，系统运行更凉爽、更持久。

它集成了1A的连续电流处理能力与SOT-223的小巧封装，完美平衡了性能与尺寸。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计轻松实现高效率和高可靠性，大幅简化您的电路布局，加速产品开发进程。

• 型号:ZVN4206GVTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4206GVTA，Diodes产品一站式供应商。