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您正在设计需要精密功率控制的紧凑型设备吗？ZVN4210GTA正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，核心使命就是让您轻松实现高效、可靠的开关控制。它能承受高达100V的电压，并处理800mA的连续电流，是中小功率应用的理想心脏。

更令人心动的是，它能在低至5V的驱动电压下高效导通，显著降低您的系统功耗和驱动复杂度。采用节省空间的SOT-223表面贴装封装，它让您的PCB布局更加灵活，同时确保良好的散热性能。选择ZVN4210GTA，就是选择为您的产品注入一份强劲、稳定且小巧的动力核心。

• 型号:ZVN4210GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4210GTA，Diodes产品一站式供应商。