您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、处理近1安培电流的紧凑型开关吗?ZVN4210GTC正是为您而来!这颗N沟道MOSFET就像一个高效可靠的“电子开关”,能在您的电路中精准控制电流的通断。
它让您仅用标准的5V或10V逻辑电平就能轻松驱动,实现低至1.5欧姆的导通电阻,极大减少了功率损耗和发热。无论是用于电源转换、电机控制还是信号切换,其SOT-223的小巧身形都能帮助您节省宝贵的电路板空间,同时确保从-55°C到150°C的极端温度下稳定工作,为您的设计注入强劲且持久的动力。
- 型号:ZVN4210GTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-223-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223-3
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- ZVN4210GTC,Diodes产品一站式供应商。