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还在为电路中的开关效率而纠结吗？让ZVN4306ASTOA来为您轻松化解！这颗N沟道MOSFET就像一个高效的数字开关，在您的微控制器指令下，能以极低损耗（导通电阻仅330毫欧）快速接通或断开高达60V、1.1A的负载通路。

它专为简化您的设计而生。5V的逻辑电平驱动让您无需复杂的电平转换电路，直接用MCU的GPIO口就能高效控制。其经典的TO-92兼容封装，让焊接和替换变得无比轻松。无论是用于电源路径管理、电机启停控制，还是LED调光驱动，它都能让您的系统运行更高效、更可靠，助您快速实现设计构想。

• 制造商产品型号：ZVN4306ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：850mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVN4306ASTOA，Diodes产品一站式供应商。