还在寻找一颗能完美驱动您的小功率负载、让电路设计更简洁高效的开关器件吗?ZVN4306AV正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和1.1A的连续电流能力,能在低至5V的栅极电压下高效导通,其极低的导通电阻能显著减少功率损耗,让您的设备运行更节能、更凉爽。
它专为需要可靠信号切换和负载控制的场景而生。无论是智能插座中的继电器驱动、便携式风扇的调速,还是电池管理系统的负载开关,ZVN4306AV都能让您轻松实现稳定、快速的电路通断。其坚固的TO-92封装和宽泛的工作温度范围,确保了在各种应用环境下的长期耐用性,是您提升产品性价比和可靠性的明智之选。
- 型号:ZVN4306AV
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-92
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):330 毫欧 @ 3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):850mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- ZVN4306AV,Diodes产品一站式供应商。