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还在为电路中的开关效率不高而损耗能量吗？ZVN4306GTA正是您提升能效的利器！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和2.1A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻。这意味着当它开启时，电流通过的阻碍非常小，从而显著减少热量产生和功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化。无论是控制电机启停、管理电源路径，还是驱动各类负载，ZVN4306GTA都能让您轻松实现快速、干净的信号切换。其友好的栅极阈值电压让它可以被常见的微控制器直接驱动，大大简化了您的驱动电路设计。采用坚固的SOT-223表面贴装封装，确保在-55°C到150°C的严苛环境下依然稳定可靠，是您打造高品质、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:ZVN4306GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4306GTA，Diodes产品一站式供应商。