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还在为电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？ZVN4306GTC正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制高达60V电压、2.1A电流的通断，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽，能效表现更出色。

它采用易于焊接的SOT-223表面贴装封装，既能节省电路板空间，又提供了良好的散热能力。更令人欣喜的是，它仅需标准的逻辑电平电压（如5V或10V）即可完全驱动，让您轻松实现与微控制器或逻辑芯片的无缝对接，极大简化了驱动电路设计。选择ZVN4306GTC，就是选择让您的功率控制设计变得更简单、更高效、更可靠。

• 型号:ZVN4306GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4306GTC，Diodes产品一站式供应商。