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您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、高效完成开关任务的“得力干将”吗？ZVN4310GTA正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有1.67A的连续电流输出能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值540毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，既能节省宝贵的PCB空间，又提供了出色的散热性能。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作。无论是用于AC-DC适配器、DC-DC转换器，还是作为系统中的负载开关，ZVN4310GTA都能以出色的性能，让您的设计事半功倍，轻松应对能效与尺寸的双重挑战。

• 型号:ZVN4310GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.67A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4310GTA，Diodes产品一站式供应商。