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您是否正在寻找一颗能够以微小体积承载高效开关任务的“能量阀门”？ZVN4310GTC正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和1.67A的电流处理能力，能轻松胜任电源转换、负载开关及电机控制中的核心开关角色。

它的魅力在于高效与易用。仅需5V至10V的驱动电压，即可实现极低的导通损耗（典型导通电阻低至540毫欧），让您的系统运行更凉爽、能效比更高。采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，节省宝贵的电路板空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入一份可靠与高效的动力。

• 型号:ZVN4310GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.67A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4310GTC，Diodes产品一站式供应商。