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您是否正在寻找一颗能够以微小身躯驾驭高压任务，同时保持快速响应与低损耗的开关解决方案？ZVN4525GTA正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有250V的耐压能力和310mA的连续电流，专为高压、小电流的精密开关场景优化设计。

它的核心价值在于让您的设计化繁为简。仅需2.5V的低驱动电压即可高效导通，让您轻松搭配各类控制芯片，大幅简化驱动电路。其极低的栅极电荷和输入电容带来了迅猛的开关速度，显著降低功耗与发热，提升系统整体能效。无论是空间受限的板卡，还是对温度范围要求严苛的应用，其SOT-223封装和宽广的工作温度都能从容应对，是您提升产品可靠性与竞争力的理想选择。

• 型号:ZVN4525GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4525GTA，Diodes产品一站式供应商。